Cenovo efektívne riešenie 2W GaAs MMIC zosilňovača
Popis:
V nedávnych rokoch bola technológia GaAs HBT úspešne rozvinutá pre nízko- a strednovýkonové vysokofrekvenčné MMIC zosilňovače. Spoločnosť EiC Corp. ako prvá začala používať InGaP emitor pre vf výkonové zosilňovače a prvá predstavila zosilňovacie bloky v roku 1998. InGaP/GaAs HBT prvky preukázali lepšie vlastnosti a viac spoľahlivosti než ich AlGaAs/GaAs HBT predchodcovia. V dnešnej dobe už aj iní výrobcovia polovodičových súčiastiek nasledovali vývoj a InGaP HBT produkty postupne vytláčajú AlGaAs produkty.
Kľúčové slová:
zosilňovač
obvod
O súboroch cookie na tejto stránke
Súbory cookie používame na funkčné účely, na zhromažďovanie a analýzu informácií o výkone a používaní stránky.