Charakterizácia laserových štruktúr

Posledných pár rokov sa venuje veľká pozornosť výskumu materiálov pre laserové diódy emitujúce na vlnovej dĺžke 1300 nm (1, 2, 3), ktoré by umožňovali rast aktívnej vrstvy na substráte GaAs. Dnes sa používa typicky pre túto vlnovú dĺžku materiálový systém InGaAsP/InP, ktorý má však niekoľko nedostatkov. Sú to hlavne nízka tepelná vodivosť a malý rozdiel indexov lomu oboch materiálov, čo má za následok zlé optické ohraničenie. V tomto smere sa zdá byť perspektívna kvaternárna zliatina GaInNAs, ktorú je možné epitaxne narásť na substráte GaAs. Takéto štruktúry májú potom viacero výhodných vlastností – napr. veľkú skokovú zmenu vo vodivostnom pásme, ktorá zabezpečuje ich použitie a dobré vlastnosti pri vyšších teplotách, alebo možnosť zložením zliatiny meniť vlnovú dĺžku emisie v určenom rozsahu. V neposlednom rade je možné realizovať GaInNAs/GaAs povrchovo emitujúce lasery (VCSEL) na 1300 nm využitím v súčasnosti používaných metód rastu.