MMIC obvody a moduly do 100 GHZ pre bezdrôtovú komunikáciu a rádiolokátory

Kľúčový prvok GaAs MMIC obvodov vyvinutých spoločnosťou Fraunhofer IAF je HEMT, respektíve pHEMT, s jeho nízkošumovými vlastnosťami a vysokou pridanou výkonovou účinnosťou. Mikrovlnové (1 - 30 GHz) MMIC obvody sa vyvíjajú s frekvenciami okolo 4,10, 20 až 30 GHz. Vývoj MMIC obvodov pre milimetrové vlny (30 – 300 GHz) sa sústreďuje na frekvencie okolo 35, 42, 60,77 a 94 GHz. Rozvoj MMIC na iných frekvenciách sa robí len na požiadanie zákazníka.
Nový rozvoj zahŕňa metamorfný HEMT (mHEMT) ako aj GaN HEMT.